产品详情
6A、 600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF6N60MJ/F/FG/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶
体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制
造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导
通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 6A， 600V， RDS(on)(典型值)=1.35Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
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