产品详情
4A、 650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF4N65T/F/FG/M/MJ/MJG/D/K N 沟道增强型高压功率
MOS 场效应 晶体管 采用 士兰微电 子的 F-CellTM 平 面高压
VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得
该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿
耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换
器， 高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 4A， 650V， RDS(on)（典型值） =2.3Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
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