产品详情
1 A、 600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF1N60AM/MJ/B/D/F/H N 沟道增强型高压功率 MOS 场
效应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技
术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换
器， 高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 1 A， 600V， R
DS(on)(典型值)=6.8 Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
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