产品详情
1A、600V N沟道增强型场效应管
SVF1N60M/MJ/N/B/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
特点:
1A，600V，RDS(on)(典型值)=8.2Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
应用：
AC-DC开关电源
DC-DC电源转换器
高压H桥PWM马达驱动
移动设备扫一扫
联系我们
台达
瑞萨
亿光
士兰微
厚声
艾瓦特
华润华晶微
华润矽科微
大中
长电
Dialog
绿达
其它品牌