产品详情
10A、600V N沟道增强型场效应管
SVF10N60T/F/FG/S/K N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
特点:
10A,600V,RDS(on)(典型值)=0.75Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
应用:
AC-DC 开关电源
DC-DC 电源转换器
高压H桥PWM马达驱动