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SVD50N06T/D/MJ

SVD50N06T/D/MJ

品牌：【士兰微】
类别：【低压MOSFET】
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50A、60V N沟道增强型场效应管


SVD50N06T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子新型平面低压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量



特点:


  •  50A，60V，RDS(on)(典型值)=18mΩ@VGS=10V
  •  低栅极电荷量
  •  低反向传输电容
  •  开关速度快
  •  提升了dv/dt能力

应用：

  • 电子镇流器
  • 低功率开关电源


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