产品详情
80A、75V N沟道增强型场效应管
SVD75N08T N 沟道增强型功率MOS 场效应晶体管,采用
士兰微电子新的平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状
的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性
能及很高的雪崩击穿耐量。在应用上,优化了器件的寄生参数,
增强了栅极抗干扰能力,易于并联使用
特点:
- 80A,75V,RDS(on)(典型值)=9m@VGS=10V
- 低栅极电荷量
- 低反向传输电容
- 开关速度快
- 提升了dv/dt 能力
应用:
- AC-DC 开关电源
- DC-DC 电源转换器
- 高压H 桥PWM 马达驱动。