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SVD640F/T

SVD640F/T

品牌：【士兰微】
类别：【低压MOSFET】
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18A、200V N沟道增强型场效应管


    SVD640F/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。


特点:

  • 18A，200V，RDS(on)（典型值）=0.15Ω@VGS=10V
  • 低栅极电荷量
  • 低反向传输电容
  • 开关速度快
  • 提升了dv/dt 能力


应用：



  • AC-DC开关电源
  • DC-DC电源转换器
  • 高压H桥PWM马达驱动




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