产品详情
3A、 800V N沟道增强型场效应管
描述
SVF3N80M/MJ/F/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体
管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先
进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电
阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源， DC-DC 电源转换
器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 3A， 800V， RDS(on)(典型值)=3.8Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
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