SVF12N60T

品牌：【士兰微】
类别：【高压MOSFET】
封装：
库存：订货在线查看附件

11A、900V N沟道增强型场效应管

SVF12N60T/F/FG/S/K是N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管，采用士兰微电子的F-Cell 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

特点：

12A,600V,RDS(on)（典型值）=0.58Ω@VGS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

应用：

AC-DC 开关电源

DC-DC 电源转换器

高压H桥PWM马达驱动

售前咨询：

售后支持：

移动设备扫一扫

产品中心